Офіційний веб сайт

Розробка фізичних основ конструктивно-технологічних рішень новітніх приладів оптоелектроніки

м18

 

Автори: Кіріченко М.В., к.т.н., Федорін І.В., Зайцев Р.В.

Представлена Національним технічним університетом "Харківський політехнічний інститут".

Розроблено фізико-технологічні основи нових конструктивно-технологічних рішень вітчизняних монокристалічних кремнієвих фотоелектричних перетворювачів (ФЕП) для підвищення їх ККД при одночасному зниженні вартості таких ФЕП та теоретичний опис властивостей нових шаруватих метаматеріалів, які можуть бути використанні в конструкції сучасних сонячних елементів та інших приладах мікро- та наноелектроніки.

Продемонстровано прикладну можливість підвищення ККД багатоперехідних Si-ФЕП з вертикальними діодними комірками нової генерації за рахунок зниження залежності вихідних параметрів приладу такого типу від кута надходження світла до його фотоприймальної поверхні. Показано, що специфічність штучної періодичної напівпровідникової структури у магнітному полі дозволяє ефективно впливати на спектральні властивості такого матеріалу магнітним полем та товщинами шарів.

Обґрунтовано можливість ефективного управління оптичними властивостями напівпровідникового періодичного метаматеріалу, що дає змогу використовувати розглянуті структури як Брегівські дзеркала, антивідбиваючі покриття, фотоелектричні елементи.

Розроблено, виготовлено і запатентовано в Україні універсальний світлодіодний освітлювач, який дає можливість швидко та маловитратно проводити атестацію монокристалічних Si‑ФЕП.

 Кількість публікацій: 77, в т.ч. за темою роботи 35 статей,  сумарна кількість посилань на публікації авторів 7 (згідно бази даних SCOPUS .