Офіційний веб сайт

Лазерний відпал нестехіометричних плівок SiOx

м19

Представлено Інститутом хімії поверхні імені О.О.Чуйка НАН України.

Автори: к.ф.-м.н. Гаврилюк О.О., к.ф.-м.н. Пилипова О.В.

Метою роботи є  створення фізико-технологічних засад лазер-індукованого відпалу нестехіометричних плівок SiOx. Авторами отримано чисельний розв’язок рівняння Фур'є і запропоновано підходи для його використання при моделюванні лазерного відпалу нестехіометричних плівок SiOx.

Досліджено розповсюдження температурних профілів в даній структурі при лазерному відпалі різної інтенсивності, що дає можливості для прогнозування утворення наночастинок в об'ємі, ріст яких сильно залежить від температури. З'ясовано природу змін, які відбулись в плівках SiO2(Si), після відпалу лазером.

З метою обґрунтування можливості застосування даних структур після лазерного відпалу в мікроелектроніці експериментально досліджені їх електричні характеристики.

Порівняно електричні характеристики даних плівок після термічного і лазерного відпалів. Результати  дослідження  поглиблюють уявлення про процес лазерного відпалу нестехіометричних плівок SiOxта їх електричні властивості після такої обробки.

Кількість публікацій: 56, у т.ч. за тематикою роботи монографія, 18 статей (7– у зарубіжних виданнях), 18 тез доповідей. Загальна кількість посилань на публікації авторів/h-індекс роботи згідно  з базами даних складає відповідно: Scopus – 9/2; Google Scholar – 43/4.

Надіслати коментар

Коментарі

О.Л. Братусь

В роботі "Лазерний відпал нестехіометричних плівок SiOx" представлені результати, які мають важливе значення для мікро та наноелектніки. Автори Пилипова О.В і Гаврилюк ОО. теоретично і експериментально дослідили і оптимізували режими лазерного відпалу нестехіометричних плівок SiOx. Були встановлені інтенсивності лазерного випромінювання при, яких починають утворюватися нанокристали кремнію в діелектричній матриці SiO2, а також інтенсивності при, яких починається руйнування плівки. Крім структурних досліджень проведені також і електрофізичні дослідження, в результаті яких визначено основні механізми через відпалені лазером плівки SiOx. Результати досліджень опубліковані в високо рейтингових журналах.
Враховуючи вище сказане вважаю, наукова робота колективу авторів Пилипова О.В. та Гаврилюк О.О. заслуговує на здобуття премії Президента України для молодих вчених за представлену роботу «Лазерний відпал нестехіометричних плівок SiOx».

Братусь О.Л., кандидат фіз.-мат. наук, старший науковий співробітник Інституту фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України.

Євтух Анатолій

Робота молодих вчених безумовно є актуальною оскільки лазерні обробки поверхні дають можливість її модифікувати локально в наперед заданих областях. В даній роботі досліджується вплив лазерного опромінення на формування під його дією нанокомпозитних плівок оксидів кремнію з вбудованими в них нанокристалами. Це відкриває широку перспективу використання результатів даної роботи в наноелектроніці та оптоелектроніці, зокрема кремнієвій оптоелектроніці. В даній роботі органічно поєднані теоретичне моделювання та експериментальні дослідження, що дозволяє оптимізувати умови формування плівок з точки зору впливу параметрів лазерного променю та параметрів вихідної плівки збагаченого кремнієм оксиду кремнію на діаметр та поверхневу густину нанокристалів кремнію.
Авторами отримані результати важливі для сучасної науки, які мають перспективу впровадження, тому вважаю, що автори заслуговують на здобуття премії Президента України для молодих вчених за роботу «Лазерний відпал нестехіометричних плівок SiOx».
А.А. Євтух, Лауреат Державної премії України в галузі науки і техніки, доктор фіз.мат наук, професор, завідувач лабораторії Інституту фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України

В.А.Скришевський

Колектив авторів Пилипова О.В. і Гаврилюк О.О. провели актуальні в даний час наукові дослідження електрофізичних і структурних властивостей плівок SiOx, відпалених лазером при різних інтенсивностях. В результаті дослідження були оптимізовані режими лазерного відпалу, які можуть бути використані для локального отримання нанокристалів кремнію в діелектричній матриці SiO2 В роботі досліджено розповсюдження температурного профілю в нестехіометричних плівках кремнію, що дає можливість прогнозувати утворення кристалічних наночастинок. Слід відмітити, те що автори встановили основні механізми провідності через відпалені лазером плівки SiO2(Si). Результати дослідження апробовані на міжнародних конференціях і надруковані в рейтингових журналах.

Отримані результати важливі для сучасної науки, тому вважаю, що авторський колектив Пилипова О.В. та Гаврилюк О.О. заслуговує на здобуття премії Президента України для молодих вчених за представлену роботу «Лазерний відпал нестехіометричних плівок SiOx».
В.А. Скришевський, Заслужений діяч науки і техніки України, доктор фіз.мат наук, професор, завідувач кафедри нанофізики конденсованих середовищ Інституту високих технологій КНУ імені Тараса Шевченка

В.М. Кичак

Робота направлена на дослідження впливу інтенсивності лазерного відпалу на характеристики плівок діоксиду кремнію.
До важливих наукових результатів слід віднести запропоновану автором модель, яка пояснює механізм електропровідності через плівки діоксиду кремнію. Отримано чисельний розв'язок параболічного рівняння теплопровідності, знайдено просторово-періодичний розподіл температури на поверхні та в об'ємі нестехіометричних плівок діоксиду кремнію. На мою думку, робота повністю відповідає критеріям, які висуваються до робіт, що подаються в комітет державних премій України на премію президента України для молодих вчених.
В.М. Кичак, доктор техн. наук, професор, декан факультету Інфокомунікацій, радіоелектроніки та наносистем Вінницького національного технічного університету.

П.В. Галій

Авторами досліджено процес лазерного відпалу нестехіометричних плівок SiOx та встановлені їх електричні властивості після такої обробки. Вдосконалена методика розрахунків теплових процесів в нестехіометричних плівках SiOx, яка дозволила пояснити особливості формування нановключень кремнію при імпульсному лазерному опроміненні плівки. Такі дані можуть бути використані для створення нових функціональних пристроїв пам’яті твердотільної мікроелектроніки та в технологіях напівпровідникового виробництва. Одержані в роботі результати є актуальними та добре апробованими. Беручи до уваги все вищенаведене вважаю, що робота повністю відповідає вимогам, щодо робіт, які подаються в Комітет з державних премій України в галузі науки і техніки.
П.В. Галій, д. ф.-м. н., професор кафедри сенсорної та напівпровідникової електроніки Львівського національного університету імені Івана Франка, м. Львів

Д І Попович

Робота присвячена вивченню фізико-технологічних особливостей лазерного відпалу нестехіометричних плівок SiOx. Встановлений механізм лазерного відпалу згаданих систем та умови створення наночастинок в об'ємі плівки. В роботі вивчені електричні характеристики плівок після термічного і лазерного відпалів, що дає можливість прогнозувати можливості застосування даних структур в мікро- наноелектроніці. Робота добре апробована та опублікована у престижних фахових наукових виданнях. Вважаю, що робота повністю відповідає вимогам, щодо робіт, які подаються в Комітет з державних премій України в галузі науки і техніки.

Д.І.Попович д.ф.-м.н., зав. відділу фізико-математичного моделювання низьковимірних систем Інститут прикладних проблем механіки і математики ім.Я.С.Підстригача НАН України, м.Львів.

О.Ю.Семчук

В роботі досліджено розповсюджження температурного профілю в нестехіометричних плівках кремнію і, що особливо цінно, отримані теоретичні результати перевірені експериментально і підтверджені. Робота виконана на високому науковому рівні, з використанням сучасних експериментальних методик. Робота добре презентована в науковій періодичній літературі, презентувалась на низьці Всчеукраїнських та міжнародних конференцій. Робота матиє і практичне значення. ЇЇ результати можуть бути (і таки будуть) використані при розробці різного роду мікро- та нано- пристроїв.
Вважаю, що робота повністю відповідає критеріям, щодо робіт, які подаються в Комітет з державних премій України в галузі науки і техніки.
О.Ю.Семчук Д.ф.-м.н., зав. відділом №9 Інституту хімії поверхні ім. О.О.Чуйка НАН України

Залишити новий коментар

Вміст цього поля є приватним і не буде доступний широкому загалу.
CAPTCHA
Для запобігання від спаму, щоб залишити коментар введіть будь ласка символи,які зображені нижче. Дякуємо за розуміня.