Ви є тут

Низьковимірні напівпровідникові металооксиди для газової сенсорики


Номер роботи - M 32 ДОПУЩЕНА ДО УЧАСТІ

Представлено Інститутом прикладних проблем механіки і математики ім. Я.С.Підстригача Національної академії наук України.

Автори:
1. БОВГИРА Ростислав Вікторович – кандидат фізико-математичних наук, науковий співробітник Інституту прикладних проблем механіки і математики ім. Я.С.Підстригача НАН України;
2. САВКА Степан Степанович – кандидат фізико-математичних наук, молодший науковий співробітник Інституту прикладних проблем механіки і математики ім. Я.С.Підстригача НАН України;
3. ВЕНГРИН Юрій Іванович – кандидат фізико-математичних наук, молодший науковий співробітник Інституту прикладних проблем механіки і математики ім. Я.С Підстригача НАН України.

Метою роботи є вивчення структурних, електронних, люмінесцентних та газосенсорних характеристик наноструктур на основі низьковимірних напівпровідникових металооксидів.

Методом теорії функціоналу електронної густини встановлені структурні та електронні властивості наноструктур на основі оксиду цинку (нанокластерів, нанотрубок), як ідеальної, так і власнодефектної структур, а також, легованих атомами 3d перехідних металів, та вивчені енергетичні параметри їхньої взаємодії з газами.

У межах методу молекулярної динаміки виявлені засади формування нанокластерів ZnO в хімічно-активному середовищі з лазерної плазми, встановлений характер фізико-технологічних процесів окислення нанокластерів Zn в кисневому середовищі і утворення наноструктур типу "ядро-оболонка", вивчено вплив початкових умов на зміни товщини та щільності оксидного шару структур типу "ядро-оболонка" Zn-ZnO.

Встановлено характер впливу газового середовища на фотолюмінісцентні властивості нанопорошкових матеріалів, що дозволило спрогнозувати створення функціонально важливих елементів для газосенсорної системи нового покоління та побудувати діючий лабораторний макет такої системи.

Кількість публікацій: 21 стаття (20 – у англомовних виданнях), 33 тези доповідей. Загальна кількість посилань на публікації авторів/h-індекс роботи згідно баз даних складає відповідно: Web of Science – 112/6, Scopus 128/7, Google Scholar –147/7. Отримано патент України на корисну модель.

Коментарі