Нові матеріали на основі телуридів кадмію, олова та свинцю для виготовлення оптоелектронних приладів

Номер роботи - P 14 ПОДАНА

Автори:

 

Новые материалы на основе

теллуридов кадмия, олова и свинца и их производных для создания оптоэлектронных приборов

Авторы:

 

 

 

New materials based on the tellurides of cadmium, tin and lead and their derivates for creation of optoelectronic devices

Authors:

 

Автори:

Панчук О.Е., Фочук П.М., Щербак Л.П., Фейчук П.І., Савицький А.В., Никонюк Є.С.,

Цюцюра Д.І., Томашик З.Ф., Коваленко Н.О., Рогачова О.І.

 

Представлена Чернівецьким національним університетом імені Юрія Федьковича.

 

В роботі сформульовано та обґрунтовано наукові засади створення матеріалів на основі телуридів елементів ІІ-IV груп періодичної системи цього класу для оптоелектронних приладів.

Авторами встановлено спектр та визначено термодинамічні параметри утворення власних та асоційованих точкових дефектів в телуридах кадмію, олова та свинцю та сполук на їх основі. Визначено фундаментальні параметри легування CdTe десятьма домішками та їх електричну поведінку в умовах високотемпературної рівноваги дефектів, створені комп’ютерні моделі дефектної структури кристалів.

Комплексними дослідженнями закономірностей процесів плавлення і кристалізації в системах на основі кадмій-телуриду встановлено явище післяплавлення та виявлено критичні точки структурних перетворень у розплавах Cd(Zn)Te, створено наукові основи керування процесами синтезу і вирощування об’ємних монокристалів з контрольованими фізико-хімічними властивостями.

Встановлено загальні закономірності взаємодії домішкових і власних точкових дефектів в CdTe, розроблено способи керування властивостями монокристалів CdTe: підвищення термостабільності, фоточутливості досконалості структури кристалічної ґратки;  впроваджено у виробництво підкладки для створення великоформатних матричних приймачів, абсорбційні фільтри, вікна для потужних СО₂ -лазерів, розроблено фоторефрактивний та детекторний матеріали.

Створено наукові основитехнології хімічної обробки монокристалів CdTe і твердих розчинів на його основі та оптимізовано склади травників, досліджено дефектну структуру сполук А^IVВ^VI, фізичні властивості кристалів, розроблено нові термоелектричні матеріали.

 

Наукові результати опубліковано у понад 430 статтях, з них 157 - у міжнародних журналах, загальний індекс цитування  (SCOPUS) - понад 700. Отримано 40 авторських свідоцтв і патентів. Захищено 6 докторських та 28 кандидатських дисертацій, виконано 103 науково-дослідні роботи.

Назва (ім'я)	Тип	Розмір	Файл
Реферат (Укр.)	.pdf	195.95 КБ	Завантаження