Ви є тут

Цикл наукових праць: "Новітні наноструктури на основі нітридів групи ІІІ: структурні, оптичні та електронні властивості"


Номер роботи - M 62 НАГОРОДЖЕНА

Автори:

 


Цикл научных работ: "Новейшие наноструктуры на основе нитридов группы ІІІ: структурные, оптические и электронные свойства"


Авторы: Кучук А.А., Наумов А.В., Авраменко К.А., Сафрюк Н.В.


 



 



A series of works "Novel nanostructures based on group III-nitrides: structural, optical and electronic properties"


Authors: Kuchuk A.V., Naumov A.V., Avramenko K.A., Safriuk N.V.


 

Автори: Кучук А.В., к.ф.-м.н., Наумов А.В., к.ф.-м.н., Авраменко К.А., к.ф.-м.н., Сафрюк Н.В., к.ф.-м.н.

 Представлений Інститутом фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України

 Цикл робіт складається з 102 публікацій.

Метою роботи є дослідження фундаментальних фізичних властивостей новітніх напівпровідникових наноструктур на основі нітридів групи ІІІ, актуальних для сучасної наноелектроніки та оптоелектроніки.

На основі комплексного експериментального і теоретичного підходу з використанням найновіших фізичних методів неруйнівної діагностики, включаючи високороздільну Х-променеву дифрактометрію, скануючу оптичну конфокальну раманівську/фотолюмінесцентну спектроскопію, прецизійні електрофізичні вимірювання та методи комп’ютерного моделювання, систематично вивчено найважливіші структурні, оптичні, електронні властивості квантових наноструктур на основі нітридних сполук ІІІ(Ga,Al,In)-N.

Отримано низку нових фундаментальних результатів, більшість з яких має пріоритетний характер. Вперше для багатошарових систем GaN/AlN/Al2O3 встановлено новий механізм релаксації пружних деформацій, уточнено значення ефективної маси 2DEG електронів на краю зони провідності для гетероструктур AlGaN/GaN, визначено рухливості і густини носіїв заряду, часи розсіяння, коефіцієнти оптичного поглинання та рекомбінаційного випромінювання, механізми збудження змішаних плазмон-фононних мод у шарах GaN.

Розроблено та досліджено високоякісні омічні та бар’єрні контактні системи на основі нанокомпозитних дифузійних бар’єрів. Встановлено кореляцію структурно-морфологічних параметрів, спектрально-оптичних та електрофізичних характеристик від композиційного складу, конфігурації та технології вирощування нітридних наноструктур на підкладках різного типу.

Одержані результати мають важливе науково-практичне значення для створення та розвитку в Україні елементної бази нових приладів на основі нітридів групи III, зокрема в рамках державних цільових науково-технічних програм "Нано-технології та наноматеріали" та "Розробка і впровадження енергозберігаючих світлодіодних джерел світла та освітлювальних систем на їх основі" 2009-2015 рр.

 Кількість публікацій: 178, в т.ч. за темою роботи 34 статті (27 у міжнародних виданнях), 68 тез доповідей.  Загальна кількість посилань на роботи авторів 110 (згідно бази даних SCOPUS), h- індекс 7.