Вы здесь

Базовые технологии производства наноразмерных полупроводниковых эпитаксиальных структур для нужд радиоэлектроники


Номер работы - P 31 ДОПУЩЕНА К УЧАСТИЮ

Авторы:Авксентьев Ю.А.,Ларкин С.Ю., Круковский С.И., Бонковский Э.Л., Вакив Н.М., Кость Я.Я., Васин А.В., Русавский А.В.

 

Представлена Публичным акционерным обществом "Научно-производственный концерн "Наука".

Целью работы является разработка и внедрение новейших высокоэффективных технологий изготовления наноразмерных полупроводниковых эпитаксиальных структур для нужд производства элементной базы радиоэлектроники, светодиодов, фотоэлектрических преобразователей.

Главная научная значимость работы состоит в разработке новых физико-технологических основ управления свойствами наноразмерных гетероструктур А3В5 путем влияния на их дефектную подсистему основными параметрами технологического процесса и легирующими изовалентными примесями на промышленных установках МОС-гидридной эпитаксии. Разработано оптимальные технологические процессы получения ряда новых нанокомпозитных материалов с уникальными свойствами на основе кремний-углеродных пленок.

По своей совокупности, полученные результаты позволили создать в Научно-производственном концерне "Наука" первое в Украине высокотехнологическое производство наноразмерных полупроводниковых эпитаксиальных структур для потребностей радиоэлектроники, нанофотоники, возобновляемых источников энергии на основе фотоэлектрических преобразователей солнечной энергии, а также других сопредельных областей науки и техники.

Экономический эффект от внедрения разработанных технологий за время выполнения работы на предприятиях высокотехнологических областей экономики Украины превышает 27 млн. грн.

Полученные результаты широко используются в подготовке инженерных, научных и научно-педагогических кадров. Научные результаты работы отображено в более чем в 100 статьях. Новизна и конкурентоспособность технических решений защищены 26 отечественными и международными патентами.